delucagiovanni forum

Qualcosa di veramente unico sta per accadere nel mondo dell'elettronica.

Elpida, insieme all'istituzione giapponese pubblica NEDO, ha sviluppato una ReRAM sperimentale con una capacità di 64 Mbit e processo produttivo a 50 nanometri. Si tratta di un tipo di memoria che potrebbe cambiare il volto di SSD e RAM, grazie a proprietà particolari di entrambi i mondi.
L'azienda compie quindi un primo passo avanti verso la commercializzazione della memoria resistiva, basata sul memristore, il quarto elemento fondamentale di un circuito elettronico dapprima solo teorizzato (da Leon Chua dell'Università di Berkeley nel 1971) e poi dimostrato dagli HP Labs nel 2008.
Elpida ha intenzione di portare sul mercato le prime ReRAM con capacità di un gigabit nel 2013, usando il processo produttivo a 30 nanometri e avvalendosi della collaborazione di Sharp.
I chip offriranno una velocità in scrittura di 10 nanosecondi, simile a quella della DRAM attuale, ma diversamente da questa si tratterà di una soluzione "non volatile".
La ReRAM dovrebbe garantire una durata di circa un milione di cicli di scrittura, più di 10 volte quelli offerti dalle NAND Flash, e sarà "bit addressable", cioè si potrà agire a livello di bit, laddove le NAND richiedono di riscrivere un blocco intero anche per cambiamenti minimi.

Il memristore è quindi una memoria non volatile, Resistive Random Access Memory (ReRAM), ed è in grado di compiere operazioni logiche, permettendo ai chip di effettuare calcoli senza che debbano rivolgersi ad altre soluzioni (come la CPU).

Un'altra importante caratteristica dei memristor è che dovrebbe poter memorizzare anche valori analogici, permettendo di fatto di oltrepassare la barriera del bit, cosa che sarebbe molto adatta per esempio per la costruzione di reti neurali artificiali.

Questa è sicuramente una delle scoperte più importanti degli ultimi 50 anni.
Il funzionamento dei memristori è quasi identico a quello dei neuroni del cervello umano. Infatti i neuroni hanno sia capacità elaborative che di memorizzazione ed anzi, la loro capacità elaborativa viene influenzata dalla loro memoria.

Non è esagerato secondo me dire che siamo all'alba di una nuova era!

Ciao a tutti e..... Alla prossima notizia.....

Come possono computare semplici operazioni logiche ?

and, nand ?
or, nor ?
not ?
xor, xnor ?
Lshift, Rshift ? (quindi anche mul e div a base2)



Non ho capito una altra cosa: bai bisogno di valori definiti in R (analogici, continue) piuttosto che loro discretizzazioni definite in N per realizzare reti neurali ?
In questo ultimo caso il vantaggio non servirebbe a rigore avere memorie analogiche con densita' contunua, in questo caso e' goloso l'avere memorie digitali piu' grandi per avere tante piu' parole e di tanti piu' bit: cioe' discretizzazioni piu' fini.

Secondo me non si fanno i conti col rumore che inevitabilmente esiste, anche con le normali penne USB è possibile memorizzare più di un bit per cella, teoricamente infiniti, ma in pratica è possibile utilizzare solo un numero di bit molto basso (2 o 4)

Piu' che altro nella tecnologia flash si annidano problemi quantistici legati all'effetto tunnel usato per parecheggiare e strappare elettroni sui floating gate, in quel caso aumentare i livelli di discretizzazione in base ad una misura grossolana di quanta carica ci sia sul floating gate, quindi quale livello discreto, si scontra con la sensibilita' dei discretizzatori di cella ed e' abbastanza sadomaso nel momento in cui la cella inizia ad avere elettroni intrappolati che quindi falsano le misure. Una cella booleana sopravvieve meglio a questi difetti, anche se per quello che costano le pennine usb all'utente finale interessa soltanto la densita' di informazione, quanti gigabyte/euro, e quindi siccome il silicio non cresce sulle piante si aumentano a dismisura i livelli di discretizzazione, quanto possibile, cercando pero' anche di arginare quanto piu' possibile gli effetti collaterali dell'effetto tunnel.

I Memristor di che difetti soffrono ? Anche loro quantistici ?

ciao

ci sono novità???